Fotodiodo 32μm 10G InGaAs TO46

 

 

• Alta responsividade (maior ou igual a 0,7A/W): garante uma conversão de sinal eficiente, reduzindo o consumo de energia para a produção de módulos ópticos em grande-escala-, ideal para compradores atacadistas de fotodiodo InGaAs TO46 com foco na eficiência energética.

• Corrente escura baixa (menor ou igual a 1nA @5V): minimiza o ruído do sinal, essencial para aplicações de telecomunicações e detecção de alta-precisão. Essa vantagem reduz as taxas de falha em implantações em massa.

• Baixa capacitância (menor ou igual a 0,25pF): permite desempenho estável de largura de banda 10G, atendendo aos requisitos de velocidade de módulos 10G SFP+ e redes de data center.

• Soldagem a laser e pacote TO{0}}CAN: Melhora a estabilidade mecânica e a resistência térmica (temperatura operacional de -40 ~ 85 graus), garantindo uma longa vida útil (maior ou igual a 50.000 horas) e reduzindo os custos de substituição para clientes de fotodiodo InGaAs de compra em massa.

• Baixa perda de retorno (maior ou igual a 35dB): reduz a reflexão do sinal, melhorando a integridade do sistema-essencial para projetos de infraestrutura de telecomunicações.

 

 

• Redes de Telecomunicações: Compatível com sistemas SDH/SONET, suportando recepção de sinal de alta-velocidade em links de-fibra óptica de longa distância-perfeitos para alta confiabilidade Fotodiodo InGaAs de 32 μm para compras de telecomunicações.

• Módulos Ópticos 10G SFP+: Utilizado em transceptores de data centers para converter sinais ópticos em sinais elétricos, com baixa capacitância (menor ou igual a 0,25pF) garantindo perda mínima de sinal.

• Detecção de fibra óptica: Ideal para sistemas de detecção industrial (por exemplo, alcance de laser, monitoramento de temperatura) graças ao seu amplo comprimento de onda operacional (1100-1650nm) e baixa corrente escura.

• Automação Industrial: Integrado em equipamentos de comunicação óptica para automação de fábrica, onde a longa vida útil de operação (via soldagem a laser) reduz os custos de manutenção para compradores atacadistas de Fotodiodo InGaAs TO46.

 

Venda de Unidades	Item único
Tamanho de pacote único	20X15X5 cm (Embalagem flexível, adequada para transporte internacional)
Peso bruto único	0,250kg

Quantidade (peças)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Prazo de entrega (dias)	14	20	30	A ser negociado

Oferecemos soluções ODM de fotodiodo InGaAs personalizadas para atender às suas necessidades específicas:

• Parâmetros personalizáveis: Diâmetro da área fotossensível (32μm/50μm/75μm), tipo de embalagem (TO46/TO56), comprimento do cabo e design da lente.

• Ciclo de Desenvolvimento: 7-15 dias (amostra primeiro; a produção em massa começa após a aprovação da amostra).

 

Parâmetro	Símbolo	Min.	Tipo	Máx.	Unidade
Poder de saturação	Ps	3	-	-	dBm
Corrente direta	Se	-	-	10	mA
Tensão do Reversor	VR	-	5	15	V
Temperatura da caixa operacional	Principal	-40	-	85	grau
Temperatura de armazenamento	Teste	-40	-	85	grau
Soldagem com Chumbo (Temperatura/Tempo)	-	-	260/10	-	grau /seg

 

Parâmetro	Símbolo	Min.	Tipo	Máx.	Unidade	Condição de teste
Comprimento de onda operacional	λ	1100	-	1650	nm
Responsividade	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310nm
Corrente Negra	Eu ia	-	0.2	1	n / D	Vr=5V
Capacitância	C	-	-	0.25	pF	Vr=5V,f=1MHz,caixa aberta
Largura de banda	Bw	10	-	-	GHz	VR=5V,50 carga com comprimento do cabo=6mm, caixa aberta
Perda de retorno óptico	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

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